华体绘

薄膜电容器 SNUBBER MMKP 3,3 uF +/-10% 630Vdc Pitch

发布时间：2024-01-17

薄膜电容器 SNUBBER MMKP 3,3 uF +/-10% 630Vdc Pitch
华体绘属化聚丙烯薄膜电容径向缓冲器类型 FEATURES •低感应结构•低损耗介质
•高脉冲等级的双面金属化材料分类: 关于符合性的定义
Vishay:
BFC238680474 BFC238670274 BFC238660124 BFC238600155

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