IGBT全称为Insulated Gate Bipolar Transistor（绝缘栅双极型晶体管），是一种电子器件，可用作中高压开关和逆变器，广泛应用于电力电子和交通运输领域。
IGBT是由MOSFET和双极晶体管（BJT）两种器件的优点结合而成，其主要特点是具有MOSFET的高输入阻抗和BJT的低导通电压。它是一种可控开关，能够在开关时承受高电压和高电流，并且具有快速的开关速度。
IGBT主要由一个N型材料Emitter、一个P型材料Collector和一个N型材料Gate组成。Gate电压的变化能够控制Collector到Emitter的电流，将IGBT电流从零到最大进行控制调节。IGBT在开关时需要控制电路的门电压，同时Gata-to-Emitter电压需要在0-15V之间，而在饱和区时会有0.7V左右的压降。
IGBT的主要应用领域包括风电、电动汽车、数控机床、UPS电源、电力变换器等，在这些应用场合中，能够使电力系统效率更高，同时在城市高速公路及轨道交通中得到广泛应用。
