IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是一种半导体器件，融合了Bipolar Junction Transistor（BJT）和Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor（MOSFET）的优点，具有较高的开关速度和低的导通电阻。IGBT的结构是一个PNPN结，由PNPN四层晶体管和金属栅型MOSFET结型的复合结构，其注解细节如下：

1. N型掺杂区：IGBT中的N型掺杂区是两个PN结之间的半导体区域，通常为N+、N-和N+三种区域的结合。N型区在高压、高电场下仍能承受场效应管中的漏电，以确保IGBT的开关性能和可靠性。

2. P型掺杂区：P型掺杂区位于两个N型掺杂区之间，在这之中通过集电极总线进行电接触。P型掺杂区有助于提高IGBT的导通和关断速度，达到高效的开关性能。

3. 金属栅极：金属栅极是IGBT的关键部分，是在PNPN晶体管上加上一个N栅极，实现电子注入和控制。

由于PNPN结内的晶体管和MOSFET的结构的复合，IGBT的控制电流大大减小了，提高了效率和可靠性。IGBT的功率损耗低，性能强大，因此非常适合高电压、大电流等高功率应用领域，如电动汽车驱动系统、UPS系统、变频空调等高功率设备。

在应用过程中，IGBT要注意一些问题，例如控制电平、晶体管的电压、电流、温度、开关频率等，否则可能会导致发热、损坏等问题。为了保障IGBT的稳定性和可靠性，制造商通常会提供详细的应用手册和指南，同时还需要根据实际情况制定相应的应用规范和方案。

IGBT作为一种高效、可靠的大功率半导体器件，其晶体管和MOSFET结构的复合设计，使其在高压、高电流、高速开关等方面具有很强的应用性能。了解IGBT的结构和应用特点，能够为工程师和使用者在实际应用中提供有益的参考。